Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern
Finanz und Wirtschaft
DGAP-Media / 02.12.2021 / 16:40
Nexperia setzt beim Einstieg in den SiC-Markt auf AIXTRON- Anlagen
Hochtemperatur Epitaxie-Technologie von AIXTRON für Serienproduktion von
Hochleistungs-SiC-Epi-Wafern / AIX G5 WW C-System erfüllt hohe
Qualitätsansprüche der SiC-Leistungselektronik
Herzogenrath, 2. Dezember 2021 - Der Experte für Halbleiterbauelemente Nexperia
setzt beim Einstieg in den Markt für Hochleistungs-SiC-Bauelemente auf die
Produktionstechnologie von AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6). Für die
Serienproduktion der Siliziumkarbid-Epi-Wafer für SiC-Leistungsbauelemente
benötigt Nexperia eine auch bei hohen Stückzahlen gleichbleibend exzellente
Qualität der Epi-Wafer. Gleichzeitig können die Kosten in der Fertigung der
SiC-Bauelemente durch den hohen Durchsatz reduziert werden.
Als einer der führenden Experten auf dem Gebiet der Serienproduktion von
Halbleiterbauelementen plant Nexperia nach dem Eintritt in den SiC-Dioden-Markt
die kontinuierliche Erweiterung seines Portfolios an Siliziumkarbid-Bauteilen.
AIXTRON, einer der führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie, erfüllt mit der vollautomatischen AIX G5 WW C-Plattform
die hohen Qualitätsansprüche an die Siliziumkarbid-Wafer für die
Leistungselektronik.
Die AIX G5 WW C - Die Referenz für die SiC-Materialherstellungstechnologie
"Wide-Band-Gap-Halbleiter wie Galliumnitrid und Siliziumkarbid verfügen über
einzigartige physikalische Eigenschaften. Sie ermöglichen eine hohe
Leistungsdichte und Effizienz bei niedrigeren System- und Betriebskosten. Auch
die SiC-Technologie ist jetzt so weit fortgeschritten, dass sie die strengen
Anforderungen bei der Massenproduktion von Bauelementen für moderne Konsum- und
Industriegüter erfüllt. Deshalb ist jetzt die Zeit reif für unseren nächsten
strategischen Schritt, die Erweiterung unseres Portfolios um
Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von Siliziumkarbid", sagt Mark
Roeloffzen, General Manager der Bipolar Discretes Group bei Nexperia.
Er fügt hinzu: "Dabei decken wir künftig im Bereich der
Hochleistungsbauelemente auch die Wertschöpfungsstufe der Epi-Wafer-Produktion
ab. Für diesen wichtigen Meilenstein wissen wir mit AIXTRON den richtigen
Partner an Nexperias Seite."
Seit Jahrzenten arbeitet AIXTRON mit führenden Instituten und Industriepartnern
weltweit an der Nutzung der Vorteile neuer
Verbindungshalbleiter-Materialklassen wie SiC und GaN für die
Leistungselektronik und erschließt mit neuesten Produktionstechnologien auch
die Nutzung von 200mm-Wafern.
Der Planetary Reactor(R) der neuesten Generation von AIXTRON ist speziell auf
die sehr hohen Anforderungen der SiC-Leistungselektronik zugeschnitten. Die
Anlage sichert die notwendige exzellente Qualität der Epitaxie-Schichten auf
den Wafern und wurde deshalb von Marktführern im Bereich Siliziumkarbid für die
Fertigung von SiC-Bauelementen qualifiziert.
SiC-Leistungselektronik für die Anwendungen der Zukunft
"Nexperia positioniert sich zum richtigen Zeitpunkt in einem der spannendsten
Wachstumsmärkte in der Halbleiterindustrie. Wir freuen uns, dass sich Nexperia
für uns als Partner bei diesem wichtigen strategischen Schritt in einen neuen
Zukunftsmarkt entschieden hat. Die Leistungseigenschaften der Materialklassen
Siliziumkarbid und Galliumnitrid bieten mit ihrem hohen Wirkungsgrad ein höchst
attraktives Potenzial für Energieeinsparung, Wärmereduzierung, Gewichts- und
Anlagengrößenreduzierung und damit geringere Gesamtsystemkosten", sagt Dr.
Felix Grawert, Vorsitzender des Vorstands von AIXTRON SE.
"SiC- und GaN-Halbleiter bieten im Vergleich zu konventioneller
Leistungselektronik auf Basis von Silizium-Wafern eine höhere Energieeffizienz
in der Anwendung und tragen dadurch erheblich zu einem geringeren CO2-Ausstoß
bei. Die Eigenschaften der Materialien prädestinieren sie insbesondere für die
Anwendungen in Elektrofahrzeugen und deren Ladestationen, Rechenzentren oder im
Bereich der Erneuerbaren Energien wie Solar- und Windkraftanlagen", fügt Dr.
Felix Grawert hinzu.
Zu Beginn des Jahres hatte Nexperia bereits begonnen, sowohl in die Erweiterung
seiner Produktionskapazitäten als auch in Forschung und Entwicklung weltweit
umfangreich zu investieren. Im Rahmen der globalen Wachstumsstrategie sind für
Europa in diesem Jahr u.a. Effizienzsteigerungen bei der Produktion und die
Implementierung neuer 200mm-Technologien in den europäischen Wafer-Fabriken in
Hamburg, Manchester und Newport geplant. In Hamburg investiert das Unternehmen
in neue Technologien für die Erweiterung seines
"Wide-Band-Gap"-SiC-Leistungsbauelemente-Angebots.
Zum Download von Fotos klicken Sie bitte hier: AIXTRON und Nexperia
Ansprechpartner
AIXTRON SE
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com
Rita Syre
Senior PR Manager
fon +49 (2407) 9030-3665
mobile +49 (162) 269 3791
e-mail r.syre@aixtron.com
Nexperia
Petra Beekmans, Head of Communications & Branding
Telefon: +31 6 137 111 41
E-Mail: petra.beekmans@nexperia.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder
organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Close
Coupled Showerhead(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), OptacapTM,
OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Über Nexperia
Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von
Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum
umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren,
ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im
niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 100
Milliarden Produkte im Jahr aus, die die strengen Anforderungen der
Automobilindustrie erfüllen. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, und
Leistungsfähigkeit immer wieder neue Maßstäbe - und das bei branchenführend
kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf. Mit jahrzehntelanger
Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia
über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen
der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches
IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001
zertifiziert.
Weitere Informationen über Nexperia sind im Internet unter www.nexperia.com
verfügbar
Zukunftsgerichtete Aussagen AIXTRON SE
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
vor.
Ende der Pressemitteilung
------------------------------------------------------------
Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen
02.12.2021 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP -
ein Service der EQS Group AG.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.
Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate
News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.
Medienarchiv unter http://www.dgap.de
------------------------------------------------------------
Sprache: Deutsch
Unternehmen: AIXTRON SE
Dornkaulstraße 2
52134 Herzogenrath
Deutschland
Telefon: +49 (2407) 9030-0
Fax: +49 (2407) 9030-445
E-Mail: invest@aixtron.com
Internet: www.aixtron.com
ISIN: DE000A0WMPJ6
WKN: A0WMPJ
Indizes: MDAX, TecDAX
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in
Berlin, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart,
Tradegate Exchange; Nasdaq OTC
EQS News ID: 1253869
Ende der Mitteilung DGAP-Media
------------------------------------------------------------
1253869 02.12.2021